第七条輸出令別表第二の三第二号（４）に掲げる貨物であって、経済産業省令で定めるものは、次のいずれかに該当するものとする。一第四条又は輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令（平成三年通商産業省令第四十九号。以下「貨物等省令」という。）第六条第一号から第八号の四までのいずれかに該当する電子管、光学素子及びこれらの部分品の製造のために特に設計した装置二半導体素子及び集積回路並びにこれらの組立品の製造用に特に設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの並びにこれらを組み込んだ装置及びこれらと同等の特性を有する装置イ半導体素子及び集積回路並びにこれらの組立品の製造用の材料の加工装置であって、次のいずれかに該当するもの（一）多結晶シリコン及び貨物等省令第六条第十八号に該当する貨物の製造用の装置（二） Ⅲ―Ⅴ族及びⅡ―Ⅵ族の半導体物質（貨物等省令第六条第十八号から第二十三号までのいずれかに該当するものに限る。）の製造のために特に設計した装置（（三）に該当するものを除く。）（三）結晶の引上げ装置及び炉であって、次のいずれかに該当するもの１アニール装置及び再結晶のための装置（定温炉を除く。）であって、〇・〇〇五平方メートル毎分を超える速度でウエハーを処理できるエネルギー移動率を有するもの２プログラム内蔵方式の結晶の引上げ装置であって、次のいずれかに該当するもの一るつぼを取り替えることなく再充塡できるもの二〇・二五メガパスカルを超える圧力で動作するもの三引き上げることができる結晶の直径が一〇〇ミリメートルを超えるもの（四）プログラム内蔵方式のエピタキシャル成長装置であって、次のいずれかに該当するもの１二〇〇ミリメートル以上にわたり厚さの許容差の絶対値が二・五パーセント未満となるシリコン膜を形成できるもの２ウエハー全体にわたり厚さの許容差の絶対値が三・五パーセント以下となるシリコン膜以外の膜を形成できるもの３処理中にウエハーを回転できるもの（五）分子線エピタキシャル成長装置（六）真空環境でウエハーを搬送するために特に設計したロードロック機能を備え、かつ、磁気的に強化されたスパッタリング装置（七）イオン注入、イオン増速拡散又は光増速拡散のために特に設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの１パターン形成を行うことができるもの２ビームエネルギーが二〇〇キロエレクトロンボルトを超えるもの３ビームエネルギーが一〇キロエレクトロンボルト未満で使用できるように設計したもの４加熱した基板に酸素を注入できるもの（八）プログラム内蔵方式の異方性ドライエッチング用の装置であって、次のいずれかに該当するもの１バッチ方式のものであって、次のいずれかに該当するもの一終点検知機能を有するもの（発光分光式のものを除く。）二反応炉のエッチング圧力が二六・六六パスカル以下のもの２単一ウエハー方式のものであって、次のいずれかに該当するもの一終点検知機能を有するもの（発光分光式のものを除く。）二反応炉のエッチング圧力が二六・六六パスカル以下のもの三カセットツウカセット機能及びロードロック式のウエハー搬送機能を有するもの（九）半導体素子製造用の化学的気相成長装置のうち、酸化物、窒化物、金属又は多結晶シリコンを堆積させることができるものであって、次のいずれかに該当するもの１〇・一メガパスカル未満の圧力で動作するもの２プラズマ増殖型のものであって、六〇パスカル未満の圧力で動作するもの並びに自動カセットツウカセット機能及びロードロック式のウエハー搬送機能を有するもの（十）マスク、レチクル又は半導体素子の製造用に特に設計又は改造した電子ビーム装置であって、次のいずれかに該当するもの１電子ビームを静電偏向させることができるもの２非ガウス形の電子ビーム形状を形成することができるもの３デジタルからアナログへの変換速度が三メガヘルツを超えるもの４デジタルからアナログへの変換精度が一二ビットを超えるもの５目標に対するビームの位置決めをフィードバック方式により行うものであって、位置決め精度の絶対値が一マイクロメートル以下のもの（十一）ウエハーの表面仕上げ装置であって、次のいずれかに該当するもの１一〇〇マイクロメートルより薄いウエハーの裏面を加工し、かつ、加工後のウエハーを剝離することができるように特に設計したもの２加工されたウエハーの表面粗さを、二シグマ値で二マイクロメートル以下に仕上げるために特に設計した装置（十二）単一又は複数の真空チャンバーを搭載した相互接続用の装置であって、本条に該当する装置を統合するように特に設計したもの（十三）レーザー光を使用したモノリシック集積回路の修理又はトリミング用のプログラム内蔵方式の装置であって、次のいずれかに該当するもの１位置決め精度の絶対値が一マイクロメートル未満のもの２照射面の直径（切り溝幅）が三マイクロメートル未満のものロマスク、マスク基板、マスク製造装置及び画像転写装置であって、半導体素子及び集積回路並びにこれらの組立品の製造用のもののうち、次のいずれかに該当するもの（一）完成したマスク及びレチクル（次のいずれかに該当するものを除く。）１第四条又は貨物等省令第六条第一号に該当しない集積回路を製造するためのもの２次の一及び二に該当するもの一設計寸法が二・五マイクロメートル以上のもの二製造用の装置又はソフトウェアによって使用目的を変更することができる特別な性質を有さないものとして設計したもの（二）マスク基板であって、次のいずれかに該当するもの１硬質表面で被覆したものであって、寸法が一二五ミリメートル四方を超えるもの２エックス線マスク用に特に設計したもの（三）半導体素子又は集積回路のＣＡＤプログラムを動作させるために特に設計した装置（汎用の電子計算機を除く。）（四）マスク又はレチクル製造用の装置及びその附属品であって、次のいずれかに該当するもの１光学方式によるステップアンドリピート方式の露光装置であって、次のいずれかに該当するもの一一〇〇ミリメートル四方を超える範囲に連続してパターンを焼き付けることができるもの二一回で六ミリメートル四方を超える範囲にパターンを焼き付けることができるもの三二・五マイクロメートル未満の線幅を基板上のフォトレジストに焼き付けることができるもの２イオンビーム又はレーザービームリソグラフィを用いたマスク又はレチクル製造用の装置であって、二・五マイクロメートル未満の線幅を焼き付けることができるもの３マスク若しくはレチクルの改造又は欠陥除去用のペリクルの追加のための装置及びホルダー（五）マスク、レチクル又はペリクルの検査装置のうち、プログラム内蔵方式のものであって、次の１及び２に該当するもの１分解能が〇・二五マイクロメートル以下のもの２一軸又は二軸の座標上における六三・五ミリメートル以上の距離において、位置決め精度の絶対値が〇・七五マイクロメートル以下のもの（六）ウエハー製造用の露光装置であって、光学方式のもの又はエックス線を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの１二・五マイクロメートル未満の線幅を焼き付けることができるもの２位置決め精度の絶対値が〇・二五マイクロメートル（平均値に三シグマを加えたもの）未満のもの３機械間の重ね合わせ精度の絶対値が〇・三マイクロメートル以上のもの４光源の波長が四〇〇ナノメートル未満のもの（七）電子ビーム装置、イオンビーム装置及びエックス線装置であって、二・五マイクロメートル未満の線幅を焼き付けることができるもの（八）レーザー発振器を用いた装置のうち、ウエハーに直接描画方式で二・五マイクロメートル未満の線幅を焼き付けることができるものハ集積回路の組立用の装置であって、次のいずれかに該当するもの（一）プログラム内蔵方式のダイボンダーであって、次の１から３までの全てに該当するもの１ハイブリッド集積回路のために特に設計したもの２縦軸及び横軸に沿って三七・五ミリメートルを超えた移動ができるステージを有するもの３縦軸及び横軸に沿った面における配置の精度の絶対値が一〇マイクロメートル未満のもの（二）プログラム内蔵方式のダイボンダーであって、一回の動作で二以上の結線を行うことができるもの（三）パッケージのキャップを当該パッケージのキャップ以外の部分より高い温度に加熱できる装置のうち、次の１から３までの全てに該当するもの１半自動又は全自動のもの２毎分一パッケージ以上処理できるもの３貨物等省令第六条第一号から第八号の四までのいずれかに該当するセラミック集積回路のパッケージ用に特に設計したものニ空気中における径が〇・三マイクロメートル以下の粒子の数を〇・〇二八三二立方メートル当たり一〇個以下とすることができるクリーンルーム用のフィルター及びその材料